ECH8655R-TL-H
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| Teilenummer | ECH8655R-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | ECH8655R-TL-H |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.788 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 4 - Apr 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ECH8655R-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ECH8655R-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ECH8655R-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 8-ECH |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.07A, 845mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 10V Leistung - max 330mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.8A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2254pF @ 25V Leistung - max 156W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11.6A (Tc), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V Leistung - max 6.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-TDFN (2x2) |
