Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DTD113EKT146

DTD113EKT146

Nur als Referenz

Teilenummer DTD113EKT146
PNEDA Teilenummer DTD113EKT146
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.716
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 23 - Feb 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DTD113EKT146 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTD113EKT146
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTD113EKT146, DTD113EKT146 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 337,93 KB)
PDFDTD113EKT146 Datenblatt Cover
DTD113EKT146 Datenblatt Seite 2 DTD113EKT146 Datenblatt Seite 3 DTD113EKT146 Datenblatt Seite 4 DTD113EKT146 Datenblatt Seite 5 DTD113EKT146 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DTD113EKT146 Datasheet
  • where to find DTD113EKT146
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor DTD113EKT146
  • DTD113EKT146 PDF Datasheet
  • DTD113EKT146 Stock

  • DTD113EKT146 Pinout
  • Datasheet DTD113EKT146
  • DTD113EKT146 Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • DTD113EKT146 Price
  • DTD113EKT146 Distributor

DTD113EKT146 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)1 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang200MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSMT3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DDTC125TCA-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

200 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50µA, 500µA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

DTC144TKA-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3L

DDTA114EUA-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

MUN2214T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

230mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

RN1131MFV(TL3,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

VESM

Kürzlich verkauft

ISL3330IAZ

ISL3330IAZ

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

NUP2201MR6T1G

NUP2201MR6T1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 20V 6TSOP

SMBJ7.0CA-E3/52

SMBJ7.0CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

DSPIC30F4011-30I/PT

DSPIC30F4011-30I/PT

Microchip Technology

IC MCU 16BIT 48KB FLASH 44TQFP

ABM8-166-114.285MHZ-T2

ABM8-166-114.285MHZ-T2

Abracon

CRYSTAL 114.2850MHZ 18PF SMD

DFLS1200-7

DFLS1200-7

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

USB3340-EZK-TR

USB3340-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 32QFN

RB751S40

RB751S40

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

MM74HC138N

MM74HC138N

ON Semiconductor

IC DECODER 3-8LINE EXP 16-DIP

NJM2121M

NJM2121M

NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DMP

MC14066BDG

MC14066BDG

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC