DTC114EE-TP
Nur als Referenz
| Teilenummer | DTC114EE-TP |
| PNEDA Teilenummer | DTC114EE-TP |
| Beschreibung | NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-523 |
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DTC114EE-TP Ressourcen
| Marke | Micro Commercial Co |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DTC114EE-TP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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DTC114EE-TP Technische Daten
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-523 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-723 Lieferantengerätepaket VMT3 |
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