DTC023EUBTL
Nur als Referenz
| Teilenummer | DTC023EUBTL |
| PNEDA Teilenummer | DTC023EUBTL |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DTC023EUBTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DTC023EUBTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
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DTC023EUBTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-85 |
| Lieferantengerätepaket | UMT3F |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie * Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SST3 |
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