DSS4160DS-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | DSS4160DS-7 |
| PNEDA Teilenummer | DSS4160DS-7 |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 60V 1A SOT26 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.662 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DSS4160DS-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DSS4160DS-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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DSS4160DS-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
| Leistung - max | 700mW |
| Frequenz - Übergang | 220MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket X2-DFN1310-6 (Type B) |
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