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DSAI75-16B

DSAI75-16B

Nur als Referenz

Teilenummer DSAI75-16B
PNEDA Teilenummer DSAI75-16B
Beschreibung DIODE AVALANCHE 1.6KV 110A DO203
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DSAI75-16B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDSAI75-16B
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DSAI75-16B, DSAI75-16B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 69,89 KB)
PDFDSAI75-18B Datenblatt Cover
DSAI75-18B Datenblatt Seite 2

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DSAI75-16B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
DiodentypAvalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1600V
Current - Average Rectified (Io)110A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.17V @ 150A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr6mA @ 1600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-203AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 180°C

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

700mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 700mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

RBK84240XXOO

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4200V

Current - Average Rectified (Io)

4600A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 4200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

Lieferantengerätepaket

Hockey Puck

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

MBRH20040L

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MUR4L40 B0G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

65pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

590mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

1290pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

P600, Axial

Lieferantengerätepaket

P600

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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