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DS1345YP-100+

DS1345YP-100+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1345YP-100+
PNEDA Teilenummer DS1345YP-100
Beschreibung IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 4.770
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DS1345YP-100+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1345YP-100+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1345YP-100+, DS1345YP-100+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 202,13 KB)
PDFDS1345ABP-70+ Datenblatt Cover
DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 2 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 3 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 4 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 5 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 6 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 7 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 8 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 9 DS1345ABP-70+ Datenblatt Seite 10

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DS1345YP-100+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall34-PowerCap™ Module
Lieferantengerätepaket34-PowerCap Module

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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