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DS1258W-100IND#

DS1258W-100IND#

Nur als Referenz

Teilenummer DS1258W-100IND#
PNEDA Teilenummer DS1258W-100IND
Beschreibung IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 6.606
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS1258W-100IND# Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1258W-100IND#
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1258W-100IND#, DS1258W-100IND# Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 200,24 KB)
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DS1258W-100IND# Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße2Mb (128K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
Lieferantengerätepaket40-EDIP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

120µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA, CSBGA

Lieferantengerätepaket

48-CBGA (6x8)

AT27LV520-90SI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

20-SOIC

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

1.125Gb (32Mb x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1067MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

1.28V ~ 1.42V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-TBGA

Lieferantengerätepaket

168-BGA

AS6C4016-55BINTR

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA (6x8)

CY7C056V-15AXC

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

576Kb (16K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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