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DS1245Y-120IND+

DS1245Y-120IND+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1245Y-120IND+
PNEDA Teilenummer DS1245Y-120IND
Beschreibung IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 6.498
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS1245Y-120IND+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1245Y-120IND+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1245Y-120IND+, DS1245Y-120IND+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 223,35 KB)
PDFDS1245AB-70IND Datenblatt Cover
DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 2 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 3 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 4 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 5 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 6 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 7 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 8 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 9 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 10

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DS1245Y-120IND+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite120ns
Zugriffszeit120ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket32-EDIP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Intel

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH, SRAM

Speichergröße

16Mbit Flash, 4Mbit RAM

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.3V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-LFBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

66-SCSP (8x12)

MT29F64G08AECABH1-10Z:A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-VBGA

Lieferantengerätepaket

100-VBGA (12x18)

AT28C010E-12JU

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

11AA020-I/W16K

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

MT48LC8M32LFF5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

Lieferantengerätepaket

90-VFBGA (8x13)

Kürzlich verkauft

XC7VX690T-2FFG1761I

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TVS DIODE 5V 16V SOT23-3

MP1584EN-LF-Z

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