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DS1245AB-120+

DS1245AB-120+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1245AB-120+
PNEDA Teilenummer DS1245AB-120
Beschreibung IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
Hersteller Maxim Integrated
Stückpreis
1 ---------- $618,5672
50 ---------- $589,5718
100 ---------- $560,5765
200 ---------- $531,5812
400 ---------- $507,4184
500 ---------- $483,2556
Auf Lager 9
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DS1245AB-120+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1245AB-120+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1245AB-120+, DS1245AB-120+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 223,35 KB)
PDFDS1245AB-70IND Datenblatt Cover
DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 2 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 3 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 4 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 5 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 6 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 7 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 8 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 9 DS1245AB-70IND Datenblatt Seite 10

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DS1245AB-120+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite120ns
Zugriffszeit120ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket32-EDIP

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Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

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CY62167G30-45ZXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

86-TSOP II

AS7C4096A-15JCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

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