DMTH6016LFDFWQ-7R
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| Teilenummer | DMTH6016LFDFWQ-7R |
| PNEDA Teilenummer | DMTH6016LFDFWQ-7R |
| Beschreibung | MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.688 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMTH6016LFDFWQ-7R Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMTH6016LFDFWQ-7R |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
DMTH6016LFDFWQ-7R, DMTH6016LFDFWQ-7R Datenblatt
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DMTH6016LFDFWQ-7R Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 925pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.06W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
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