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DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMT6008LFG-13
PNEDA Teilenummer DMT6008LFG-13
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
Hersteller Diodes Incorporated
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DMT6008LFG-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMT6008LFG-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMT6008LFG-13, DMT6008LFG-13 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 270,07 KB)
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DMT6008LFG-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50.4nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2713pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.2W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerDI3333-8
Paket / Fall8-PowerVDFN

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 500V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO251-3

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

SI3433BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

DMP6110SVTQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

969pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

2SK3817-DL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.65W (Ta), 65W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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FDPF8N50NZ

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

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Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

735pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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