DMT3011LDT-7
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| Teilenummer | DMT3011LDT-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMT3011LDT-7 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMT3011LDT-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMT3011LDT-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMT3011LDT-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A, 10.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 641pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.9W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | V-DFN3030-8 (Type K) |
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