Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMT10H017LPD-13

DMT10H017LPD-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMT10H017LPD-13
PNEDA Teilenummer DMT10H017LPD-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMT10H017LPD-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMT10H017LPD-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMT10H017LPD-13 Datasheet
  • where to find DMT10H017LPD-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMT10H017LPD-13
  • DMT10H017LPD-13 PDF Datasheet
  • DMT10H017LPD-13 Stock

  • DMT10H017LPD-13 Pinout
  • Datasheet DMT10H017LPD-13
  • DMT10H017LPD-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMT10H017LPD-13 Price
  • DMT10H017LPD-13 Distributor

DMT10H017LPD-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1986pF @ 50V
Leistung - max2.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPowerDI5060-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7350PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.1A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AOD606

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Leistung - max

1.6W, 1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Lieferantengerätepaket

TO-252-4L

FDG6321C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

CMLDM5757 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

SIZ720DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 16.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

825pF @ 10V

Leistung - max

27W, 48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-PowerPair™

Lieferantengerätepaket

6-PowerPair™

Kürzlich verkauft

IS61WV102416BLL-10TLI

IS61WV102416BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

KSC341JLFS

KSC341JLFS

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

PEX8734-AB80BI G

PEX8734-AB80BI G

Broadcom

PEX8734-AB80BI G

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

CS42426-CQZ

CS42426-CQZ

Cirrus Logic Inc.

IC CODEC 6CH PLL 192KHZ 64LQFP

NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM

DS2482S-100+T&R

DS2482S-100+T&R

Maxim Integrated

IC I2C TO 1WIRE BRIDGE 8SOIC

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

AT49F040-12TI

AT49F040-12TI

Microchip Technology

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

FT232RL-REEL

FT232RL-REEL

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB FS SERIAL UART 28-SSOP

CY2309SXI-1H

CY2309SXI-1H

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 9OUT 133MHZ 16SOIC