Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMP2066UFDE-7

DMP2066UFDE-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMP2066UFDE-7
PNEDA Teilenummer DMP2066UFDE-7
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.562
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP2066UFDE-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP2066UFDE-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMP2066UFDE-7, DMP2066UFDE-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 209,09 KB)
PDFDMP2066UFDE-7 Datenblatt Cover
DMP2066UFDE-7 Datenblatt Seite 2 DMP2066UFDE-7 Datenblatt Seite 3 DMP2066UFDE-7 Datenblatt Seite 4 DMP2066UFDE-7 Datenblatt Seite 5 DMP2066UFDE-7 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMP2066UFDE-7 Datasheet
  • where to find DMP2066UFDE-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMP2066UFDE-7
  • DMP2066UFDE-7 PDF Datasheet
  • DMP2066UFDE-7 Stock

  • DMP2066UFDE-7 Pinout
  • Datasheet DMP2066UFDE-7
  • DMP2066UFDE-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMP2066UFDE-7 Price
  • DMP2066UFDE-7 Distributor

DMP2066UFDE-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1537pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)660mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketU-DFN2020-6 (Type E)
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXFN120N25

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IPC95R750P7X7SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

RV3C002UNT2CL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

VML0604

Paket / Fall

3-XFDFN

IRFH5220TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A (Ta), 20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99.9mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 8.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-VQFN Exposed Pad

FDMC6683PZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7995pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

26W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-MLP (3.3x3.3)

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

BC817-40-7-F

BC817-40-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3

MC9S08LC36LK

MC9S08LC36LK

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

ADG1334BRSZ

ADG1334BRSZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP

CDSOD323-T15SC

CDSOD323-T15SC

Bourns

TVS DIODE 15V 33V SOD323

PIC12F752-I/SN

PIC12F752-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1.75KB FLASH 8SOIC

XC6VLX130T-2FFG1156I

XC6VLX130T-2FFG1156I

Xilinx

IC FPGA 600 I/O 1156FCBGA

TS922IDT

TS922IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

LPC1768FBD100,551

LPC1768FBD100,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP

CB3LV-3I-30M0000

CB3LV-3I-30M0000

CTS Frequency Controls

XTAL OSC XO 30.0000MHZ HCMOS TTL

AUIRF2804S

AUIRF2804S

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

NUP2201MR6T1G

NUP2201MR6T1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 20V 6TSOP

LT1529IQ#PBF

LT1529IQ#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 5DDPAK