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DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN6040SSD-13
PNEDA Teilenummer DMN6040SSD-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Hersteller Diodes Incorporated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN6040SSD-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN6040SSD-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN6040SSD-13, DMN6040SSD-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 469,26 KB)
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DMN6040SSD-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1287pF @ 25V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1605pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1840pF @ 50V

Leistung - max

1.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

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Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 38V

Leistung - max

15.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 15V

Leistung - max

2.1W, 2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 10V

Leistung - max

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