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DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN33D8LDW-13
PNEDA Teilenummer DMN33D8LDW-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 4.302
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 27 - Mai 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMN33D8LDW-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN33D8LDW-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN33D8LDW-13, DMN33D8LDW-13 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 289,06 KB)
PDFDMN33D8LDW-13 Datenblatt Cover
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DMN33D8LDW-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds48pF @ 5V
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

190mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 15V

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

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220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

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