DMN30H4D0LFDE-7
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| Teilenummer | DMN30H4D0LFDE-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN30H4D0LFDE-7 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 307.758 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN30H4D0LFDE-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN30H4D0LFDE-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
DMN30H4D0LFDE-7, DMN30H4D0LFDE-7 Datenblatt
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DMN30H4D0LFDE-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 550mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 300mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 187.3pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 630mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
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