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DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2990UDJQ-7
PNEDA Teilenummer DMN2990UDJQ-7
Beschreibung MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMN2990UDJQ-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2990UDJQ-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN2990UDJQ-7, DMN2990UDJQ-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 501,91 KB)
PDFDMN2990UDJQ-7 Datenblatt Cover
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DMN2990UDJQ-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds27.6pF @ 16V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-963
LieferantengerätepaketSOT-963

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 10V

Leistung - max

450mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

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