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DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN26D0UDJ-7
PNEDA Teilenummer DMN26D0UDJ-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 93.216
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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DMN26D0UDJ-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN26D0UDJ-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN26D0UDJ-7, DMN26D0UDJ-7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 325,57 KB)
PDFDMN26D0UDJ-7 Datenblatt Cover
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DMN26D0UDJ-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds14.1pF @ 15V
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-963
LieferantengerätepaketSOT-963

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

604pF @ 20V

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SH8M24TB1

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

45V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

SI9933BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

CAS300M17BM2

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Hersteller

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1700V (1.7kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

325A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 225A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1076nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 1000V

Leistung - max

1760W

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