Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2028UFDH-7
PNEDA Teilenummer DMN2028UFDH-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.834
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 2 - Apr 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN2028UFDH-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2028UFDH-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN2028UFDH-7, DMN2028UFDH-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 275,39 KB)
PDFDMN2028UFDH-7 Datenblatt Cover
DMN2028UFDH-7 Datenblatt Seite 2 DMN2028UFDH-7 Datenblatt Seite 3 DMN2028UFDH-7 Datenblatt Seite 4 DMN2028UFDH-7 Datenblatt Seite 5 DMN2028UFDH-7 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN2028UFDH-7 Datasheet
  • where to find DMN2028UFDH-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN2028UFDH-7
  • DMN2028UFDH-7 PDF Datasheet
  • DMN2028UFDH-7 Stock

  • DMN2028UFDH-7 Pinout
  • Datasheet DMN2028UFDH-7
  • DMN2028UFDH-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN2028UFDH-7 Price
  • DMN2028UFDH-7 Distributor

DMN2028UFDH-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds151pF @ 10V
Leistung - max1.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerVDFN
LieferantengerätepaketPowerDI3030-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7379PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

NDS9958

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SIS902DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 38V

Leistung - max

15.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8 Dual

APTM50AM17FG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

AON6928

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

3.6W, 4.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Kürzlich verkauft

MAX3160EAP+T

MAX3160EAP+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

MAX1490BEPG+

MAX1490BEPG+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 24DIP

ADF4360-7BCPZRL7

ADF4360-7BCPZRL7

Analog Devices

IC SYNTHESIZER VCO 24LFCSP

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

AD9745BCPZRL

AD9745BCPZRL

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 72LFCSP

EMZA250ADA101MF80G

EMZA250ADA101MF80G

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 25V SMD

HX5149NLT

HX5149NLT

Pulse Electronics Network

PULSE XFMR 1 CT:1CT TX/RX 360UH

LT1884IS8

LT1884IS8

Linear Technology/Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

PCA9617ADPJ

PCA9617ADPJ

NXP

IC REDRIVER I2C 1CH 1MHZ 8TSSOP

EP3SL50F780C3N

EP3SL50F780C3N

Intel

IC FPGA 488 I/O 780FBGA

STM32F103C8T6

STM32F103C8T6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP

EN6347QI

EN6347QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-6.24V