DMHC10H170SFJ-13
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| Teilenummer | DMHC10H170SFJ-13 |
| PNEDA Teilenummer | DMHC10H170SFJ-13 |
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.276 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMHC10H170SFJ-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMHC10H170SFJ-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
DMHC10H170SFJ-13, DMHC10H170SFJ-13 Datenblatt
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DMHC10H170SFJ-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A, 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
| Leistung - max | 2.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | V-DFN5045-12 |
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