Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMC25D0UVT-13

DMC25D0UVT-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMC25D0UVT-13
PNEDA Teilenummer DMC25D0UVT-13
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC25D0UVT-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC25D0UVT-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC25D0UVT-13, DMC25D0UVT-13 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 461,01 KB)
PDFDMC25D0UVT-13 Datenblatt Cover
DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 2 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 3 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 4 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 5 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 6 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 7 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 8 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 9 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 10 DMC25D0UVT-13 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMC25D0UVT-13 Datasheet
  • where to find DMC25D0UVT-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMC25D0UVT-13
  • DMC25D0UVT-13 PDF Datasheet
  • DMC25D0UVT-13 Stock

  • DMC25D0UVT-13 Pinout
  • Datasheet DMC25D0UVT-13
  • DMC25D0UVT-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMC25D0UVT-13 Price
  • DMC25D0UVT-13 Distributor

DMC25D0UVT-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)25V, 30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.400mA, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds26.2pF @ 10V
Leistung - max1.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketTSOT-26

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMC2710UDW-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 60mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

372nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 800V

Leistung - max

20mW (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

AG-EASY2BM-2

APTC60HM35T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

72A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V

Leistung - max

416W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FDMS3615S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 13V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

Power56

BSC0924NDIATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A, 32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TISON-8

Kürzlich verkauft

XC95144-15TQ100I

XC95144-15TQ100I

Xilinx

IC CPLD 144MC 15NS 100TQFP

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

FDS6675BZ

FDS6675BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

MAX1853EXT

MAX1853EXT

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV SC70-6

STM32F030R8T6TR

STM32F030R8T6TR

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64LQFP

TLP227G-2(TP1,N,F)

TLP227G-2(TP1,N,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

ESDA6V1L

ESDA6V1L

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V SOT23-3

HDT0001

HDT0001

C&K

SWITCH DETECTOR SPST-NO 1MA 5V

NP5Q128A13ESFC0E

NP5Q128A13ESFC0E

Micron Technology Inc.

IC PCM 128M SPI 66MHZ 16SO W

2N6433

2N6433

Central Semiconductor Corp

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

MCP4921T-E/SN

MCP4921T-E/SN

Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

PIC18LF1320-I/P

PIC18LF1320-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 18DIP