DKI10526
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| Teilenummer | DKI10526 |
| PNEDA Teilenummer | DKI10526 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 19A TO-252 |
| Hersteller | Sanken |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.744 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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DKI10526 Ressourcen
| Marke | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DKI10526 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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DKI10526 Technische Daten
| Hersteller | Sanken |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 19A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47.7mOhm @ 9.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 350µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1530pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 37W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3454pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 278W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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