DGD2136S28-13
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| Teilenummer | DGD2136S28-13 |
| PNEDA Teilenummer | DGD2136S28-13 |
| Beschreibung | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SO |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.886 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DGD2136S28-13 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DGD2136S28-13 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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DGD2136S28-13 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | 3-Phase |
| Anzahl der Treiber | 6 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.4V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 200mA, 350mA |
| Eingabetyp | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 90ns, 35ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 28-SO |
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10.8V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
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