DF23MR12W1M1B11BOMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| Beschreibung | MOSFET MODULE 1200V 25A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.610 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DF23MR12W1M1B11BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
DF23MR12W1M1B11BOMA1, DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
(Total Pages: 10, Größe: 583,63 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datasheet
- where to find DF23MR12W1M1B11BOMA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1
- DF23MR12W1M1B11BOMA1 PDF Datasheet
- DF23MR12W1M1B11BOMA1 Stock
- DF23MR12W1M1B11BOMA1 Pinout
- Datasheet DF23MR12W1M1B11BOMA1
- DF23MR12W1M1B11BOMA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- DF23MR12W1M1B11BOMA1 Price
- DF23MR12W1M1B11BOMA1 Distributor
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
| Leistung - max | 20mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 317A Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 448nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27400pF @ 25V Leistung - max 1136W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 412pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 2.5mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 1000V Leistung - max 350W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 89A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6850pF @ 25V Leistung - max 357W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 997pF @ 25V Leistung - max 3W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
