DF200R12W1H3B27BOMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.812 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF200R12W1H3B27BOMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF200R12W1H3B27BOMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
DF200R12W1H3B27BOMA1, DF200R12W1H3B27BOMA1 Datenblatt
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DF200R12W1H3B27BOMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Leistung - max | 375W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 30A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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