DF150R12RT4HOSA1
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| Teilenummer | DF150R12RT4HOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF150R12RT4HOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.290 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF150R12RT4HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF150R12RT4HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
DF150R12RT4HOSA1, DF150R12RT4HOSA1 Datenblatt
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DF150R12RT4HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single Chopper |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 790W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 690W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700A Leistung - max 2300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 49nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 149A Leistung - max 862W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 285A Leistung - max 1087W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21.2nF @ 25V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
