DF11MR12W1M1B11BPSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| Beschreibung | MOSFET MOD 1200V 50A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.542 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 29 - Apr 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Datasheet
- where to find DF11MR12W1M1B11BPSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 PDF Datasheet
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Stock
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Pinout
- Datasheet DF11MR12W1M1B11BPSA1
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Price
- DF11MR12W1M1B11BPSA1 Distributor
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
| Leistung - max | 20mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | AG-EASY1BM-2 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-TSST |
Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 9-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket 9-DSBGA |
Hersteller Sanken Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 10V Leistung - max 5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Lieferantengerätepaket 15-ZIP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 20V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 49A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
