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DDTA113TUA-7

DDTA113TUA-7

Nur als Referenz

Teilenummer DDTA113TUA-7
PNEDA Teilenummer DDTA113TUA-7
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 4.572
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DDTA113TUA-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDTA113TUA-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DDTA113TUA-7, DDTA113TUA-7 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 128,22 KB)
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DDTA123TUA-7 Datenblatt Seite 2 DDTA123TUA-7 Datenblatt Seite 3

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DDTA113TUA-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

UMT3F

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

246mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

DTC144TM3T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

260mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

DTA024EEBTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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