DDB6U215N16LHOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DDB6U215N16LHOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DDB6U215N16LHOSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE MODULE GP 1600V | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.016 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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DDB6U215N16LHOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DDB6U215N16LHOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
DDB6U215N16LHOSA1, DDB6U215N16LHOSA1 Datenblatt
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DDB6U215N16LHOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 3 Independent |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.61V @ 300A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10mA @ 1600V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 2 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 6ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5µA @ 70V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
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