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DDB2U30N08VRBOMA1

DDB2U30N08VRBOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer DDB2U30N08VRBOMA1
PNEDA Teilenummer DDB2U30N08VRBOMA1
Beschreibung IGBT MODULE 800V 50A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DDB2U30N08VRBOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDB2U30N08VRBOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
DDB2U30N08VRBOMA1, DDB2U30N08VRBOMA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 237,36 KB)
PDFDDB2U30N08VRBOMA1 Datenblatt Cover
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DDB2U30N08VRBOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration3 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Leistung - max83.5W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 20A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce880pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPIM™3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.35nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGLQ30H65T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

95W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

APTGTQ200A65T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

483W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

FP50R07U1E4BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

230W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS10R12YE3BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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