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DD104N12KHPSA1

DD104N12KHPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DD104N12KHPSA1
PNEDA Teilenummer DD104N12KHPSA1
Beschreibung DIODE MODULE GP 1200V 104A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.168
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DD104N12KHPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDD104N12KHPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DD104N12KHPSA1, DD104N12KHPSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 236,69 KB)
PDFDD104N18KHPSA1 Datenblatt Cover
DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 2 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 3 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 4 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 5 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 6 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 7 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 8 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 9 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 10

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DD104N12KHPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)104A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 300A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr20mA @ 1200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

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1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3)

Lieferantengerätepaket

ADD-A-PAK®

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

720mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

550µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

500A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Three Tower

MSCD200-12

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 300A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

9mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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