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DD104N12KAHPSA1

DD104N12KAHPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DD104N12KAHPSA1
PNEDA Teilenummer DD104N12KAHPSA1
Beschreibung DIODE MODULE 1200V 160A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.266
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DD104N12KAHPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDD104N12KAHPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DD104N12KAHPSA1, DD104N12KAHPSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 236,69 KB)
PDFDD104N18KHPSA1 Datenblatt Cover
DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 2 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 3 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 4 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 5 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 6 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 7 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 8 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 9 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 10

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DD104N12KAHPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
Diodenkonfiguration-
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 100A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT2X41DC60J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 40A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

705mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

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