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DB102G

DB102G

Nur als Referenz

Teilenummer DB102G
PNEDA Teilenummer DB102G
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $0,3036
500 ---------- $0,2894
1.000 ---------- $0,2752
2.500 ---------- $0,2609
5.000 ---------- $0,2491
10.000 ---------- $0,2372
Auf Lager 9.282
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DB102G Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDB102G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter
Datenblatt
DB102G, DB102G Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 591,19 KB)
PDFDB104G Datenblatt Cover
DB104G Datenblatt Seite 2 DB104G Datenblatt Seite 3

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DB102G Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)100V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-EDIP (0.321", 8.15mm)
LieferantengerätepaketDB

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800V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3.14A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 165°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

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Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

4-Square

Lieferantengerätepaket

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3.8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

BU12105S-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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