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D711N60TXPSA1

D711N60TXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer D711N60TXPSA1
PNEDA Teilenummer D711N60TXPSA1
Beschreibung DIODE GEN PURP 6KV 1070A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.474
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

D711N60TXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerD711N60TXPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
D711N60TXPSA1, D711N60TXPSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 237,84 KB)
PDFD711N68TXPSA1 Datenblatt Cover
D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 2 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 3 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 4 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 5 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 6 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 7 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 8 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 9

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D711N60TXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)6000V
Current - Average Rectified (Io)1070A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.9V @ 1200A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 6000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AB, B-PUK
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 160°C

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

415mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

65pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

DFN1608D-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CDBUR0140L

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

6pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

0603/SOD-523F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

RS1KHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GP10VE-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

RS1MHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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