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D2020L55

D2020L55

Nur als Referenz

Teilenummer D2020L55
PNEDA Teilenummer D2020L55
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 12.7A TO220
Hersteller Littelfuse
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D2020L55 Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerD2020L55
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
D2020L55, D2020L55 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 103,91 KB)
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D2020L55 Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)12.7A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.6V @ 12.7A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads
LieferantengerätepaketTO-220 Isolated Tab
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 125°C

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2200V

Current - Average Rectified (Io)

2500A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 5000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 2200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AC, K-PUK

Lieferantengerätepaket

DO-200AC, K-PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

VFT2080S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

AS4PJHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2.4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N4937L

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

BYV26B-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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