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CY7C245A-18WMB

CY7C245A-18WMB

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C245A-18WMB
PNEDA Teilenummer CY7C245A-18WMB
Beschreibung IC EPROM 16K PARALLEL 24CERDIP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 4.122
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CY7C245A-18WMB Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C245A-18WMB
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C245A-18WMB, CY7C245A-18WMB Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 227,93 KB)
PDFCY7C245A-18WMB Datenblatt Cover
CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 2 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 3 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 4 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 5 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 6 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 7 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 8 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 9 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 10 CY7C245A-18WMB Datenblatt Seite 11

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CY7C245A-18WMB Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEPROM
TechnologieEPROM - UV
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit18ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall24-CDIP (0.300", 7.62mm) Window
Lieferantengerätepaket24-CERDIP

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

200-WFBGA

Lieferantengerätepaket

200-WFBGA (10x14.5)

AT28HC64BF-70SU

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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28-SOIC

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-MSOP

A2C00045122 A

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IS43DR16640B-25DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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