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CY7C1515AV18-250BZC

CY7C1515AV18-250BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1515AV18-250BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1515AV18-250BZC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $1.103,8723
50 ---------- $1.052,1282
100 ---------- $1.000,3842
200 ---------- $948,6402
400 ---------- $905,5202
500 ---------- $862,4002
Auf Lager 170
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 20 - Mär 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1515AV18-250BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1515AV18-250BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1515AV18-250BZC, CY7C1515AV18-250BZC Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 774,23 KB)
PDFCY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Cover
CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1513AV18-200BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1515AV18-250BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S29GL512S11DHB010

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (9x9)

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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