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CY7C1514V18-200BZXC

CY7C1514V18-200BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1514V18-200BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1514V18-200BZXC
Beschreibung IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.862
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1514V18-200BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1514V18-200BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1514V18-200BZXC, CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt (Total Pages: 29, Größe: 669,72 KB)
PDFCY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Cover
CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1514V18-200BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1514V18-200BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße72Mb (2M x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-VSOP

SST26VF016-80-5C-S2AE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST26 SQI®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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