CY7C1415KV18-250BZC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1415KV18-250BZC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY7C1415KV18-250BZC | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 370 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CY7C1415KV18-250BZC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1415KV18-250BZC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1415KV18-250BZC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Speichergröße | 36Mb (1M x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 250MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 183MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.3ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 128Kb (8K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 17ns Zugriffszeit 17ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 84-PLCC (29.21x29.21) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3 Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-TWBGA (9x13) |
