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CY7C1413JV18-250BZXC

CY7C1413JV18-250BZXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1413JV18-250BZXC
PNEDA Teilenummer CY7C1413JV18-250BZXC
Beschreibung IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $563,9448
50 ---------- $537,5099
100 ---------- $511,0750
200 ---------- $484,6401
400 ---------- $462,6110
500 ---------- $440,5819
Auf Lager 148
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1413JV18-250BZXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1413JV18-250BZXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1413JV18-250BZXC, CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 693,1 KB)
PDFCY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Cover
CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1413JV18-250BZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1413JV18-250BZXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße36Mb (2M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (15x17)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-VFBGA

Lieferantengerätepaket

60-VFBGA (8x9)

Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 6.0V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-DIP

AT28C256E-20DM/883

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

200ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-CDIP

IS62WVS1288FBLL-20NLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O, SDI, DTR

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

PF38F3050M0Y0CEB TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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