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CY7C1393BV18-250BZI

CY7C1393BV18-250BZI

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1393BV18-250BZI
PNEDA Teilenummer CY7C1393BV18-250BZI
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1393BV18-250BZI Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1393BV18-250BZI
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1393BV18-250BZI, CY7C1393BV18-250BZI Datenblatt (Total Pages: 31, Größe: 693,33 KB)
PDFCY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Cover
CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1393BV18-278BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1393BV18-250BZI Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (6x10)

7133LA20G

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

68-BPGA

Lieferantengerätepaket

68-PGA (29.46x29.46)

71T75802S200BGG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.2ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-TSOP I

MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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