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CY7C1380C-133AC

CY7C1380C-133AC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1380C-133AC
PNEDA Teilenummer CY7C1380C-133AC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C1380C-133AC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1380C-133AC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1380C-133AC, CY7C1380C-133AC Datenblatt (Total Pages: 36, Größe: 788,82 KB)
PDFCY7C1380C-167BZI Datenblatt Cover
CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 2 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 3 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 4 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 5 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 6 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 7 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 8 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 9 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 10 CY7C1380C-167BZI Datenblatt Seite 11

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CY7C1380C-133AC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit4.2ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.63V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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