CY7C1372KV33-167AXC
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1372KV33-167AXC | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | CY7C1372KV33-167AXC | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Cypress Semiconductor | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 237 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 2 - Mai 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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CY7C1372KV33-167AXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1372KV33-167AXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1372KV33-167AXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | NoBL™ |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 3.4ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 100-LQFP |
| Lieferantengerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.3V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 134-TFBGA Lieferantengerätepaket 134-FBGA (11.5x11.5) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 168-TFBGA Lieferantengerätepaket 168-FBGA (12x12) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOIC |
