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CY7C1346H-166AXCT

CY7C1346H-166AXCT

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1346H-166AXCT
PNEDA Teilenummer CY7C1346H-166AXCT
Beschreibung IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CY7C1346H-166AXCT Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1346H-166AXCT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1346H-166AXCT, CY7C1346H-166AXCT Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 825,89 KB)
PDFCY7C1346H-166AXCT Datenblatt Cover
CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 2 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 3 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 4 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 5 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 6 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 7 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 8 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 9 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 10 CY7C1346H-166AXCT Datenblatt Seite 11

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CY7C1346H-166AXCT Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße2Mb (64K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.5ns
Spannung - Versorgung3.15V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x20)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (9x9)

MT28F800B5WP-8 B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

80ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (256 Bytes x 16384 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

7µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IS29GL01GS-11DHV013

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (9x9)

IS43R16320E-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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