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CY7C1318JV18-300BZC

CY7C1318JV18-300BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1318JV18-300BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1318JV18-300BZC
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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CY7C1318JV18-300BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1318JV18-300BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1318JV18-300BZC, CY7C1318JV18-300BZC Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 592,81 KB)
PDFCY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Cover
CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 2 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 3 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 4 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 5 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 6 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 7 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 8 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 9 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 10 CY7C1320JV18-250BZXI Datenblatt Seite 11

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CY7C1318JV18-300BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße18Mb (1M x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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Cypress Semiconductor Corp

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-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1019CV33-10ZXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AS4C32M16SB-7TCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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