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CY7C1292DV18-167BZC

CY7C1292DV18-167BZC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1292DV18-167BZC
PNEDA Teilenummer CY7C1292DV18-167BZC
Beschreibung IC SRAM 9M PARALLEL 165FBGA
Hersteller Cypress Semiconductor
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CY7C1292DV18-167BZC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1292DV18-167BZC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1292DV18-167BZC, CY7C1292DV18-167BZC Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 987,13 KB)
PDFCY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Cover
CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 2 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 3 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 4 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 5 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 6 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 7 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 8 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 9 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 10 CY7C1294DV18-167BZC Datenblatt Seite 11

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CY7C1292DV18-167BZC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall165-LBGA
Lieferantengerätepaket165-FBGA (13x15)

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CY7C1370D-167AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

7143LA20J8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (2K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

68-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

68-PLCC (24.21x24.21)

W29GL064CB7S

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

AT27BV256-15TI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-TSOP

MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (8x14)

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PI3USB30532ZLE

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TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23