CY7C1061GN30-10ZSXIT
Nur als Referenz
| Teilenummer | CY7C1061GN30-10ZSXIT |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1061GN30-10ZSXIT |
| Beschreibung | IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.046 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 6 - Mär 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1061GN30-10ZSXIT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1061GN30-10ZSXIT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
CY7C1061GN30-10ZSXIT, CY7C1061GN30-10ZSXIT Datenblatt
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CY7C1061GN30-10ZSXIT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 16Mb (1M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 2.2V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 54-TSOP II |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-S (6x5) |
