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CY7C1041CV33-15VC

CY7C1041CV33-15VC

Nur als Referenz

Teilenummer CY7C1041CV33-15VC
PNEDA Teilenummer CY7C1041CV33-15VC
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 8.946
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY7C1041CV33-15VC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY7C1041CV33-15VC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY7C1041CV33-15VC, CY7C1041CV33-15VC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 584,09 KB)
PDFCY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Cover
CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 2 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 3 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 4 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 5 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 6 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 7 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 8 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 9 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 10 CY7C1041CV33-20ZXC Datenblatt Seite 11

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CY7C1041CV33-15VC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit15ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

87MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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IDT6116SA20SOI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

24AA02HT-I/MS

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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